Исследование биполярных и полевых транзисторов

Транзистором называется полупроводниковый преобразовательный прибор, имеющий не менее трёх выводов и способный усиливать мощность. Классификация транзисторов производится по следующим признакам:

  • По материалу полупроводника — обычно германиевые или кремниевые;
  • По типу проводимости областей (только биполярные транзисторы): с прямой проводимостью (p-n-p — структура) или с обратной проводимостью (n-p-n — структура);
  • По принципу действия транзисторы подразделяются на биполярные и полевые (униполярные);
  • По частотным свойствам:
  • НЧ (<3 МГц);
  • СрЧ (3ч30 МГц);
  • ВЧ и СВЧ (>30 МГц);
  • По мощности: Маломощные транзисторы ММ (<0,3 Вт), средней мощности СрМ (0,3ч3Вт), мощные (>3 Вт).

    1.

Теоретическая часть

1 Биполярный транзистор КТ301Ж

1.1 Общие сведения

Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами (рисунок 1).

Масса транзистора не более 0,5 г.

  1

Рисунок 1 — Биполярный транзистор КТ301Ж

1.2 Максимально допустимые параметры

Гарантируются при температуре окружающей среды Тс. от минус 55єС до плюс 85єСк max = 10 мА постоянный ток коллектораэ max = 10 мА постоянный ток эмиттераэб max = 3 В постоянное напряжение эмиттер-базакб max = 20 В постоянное напряжение коллектор-базакэ max = 20 В постоянное напряжение коллектор-эмиттер при к.з. между эмиттером и базойк max = 150 мВт постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Tc от минус 55єС до плюс 60єС

Тn max = 120єС температура перехода, п-к = 0,6 єС/мВт тепловое сопротивление переход-корпус

1.3 Электрические параметры

Работа транзистора характеризуется параметрами, определяющими усилительные и частотные свойства в режимах усиления, переключения и отсечки, а также максимально допустимыми режимами эксплуатации. Электрические параметры транзистора приведены в таблице 1.

Таблица 1 Электрические параметры транзистора КТ301Ж

Наименование

Обозначение

Значения

Режимы измерения

минимальное

максимальное

Uк , В

Uэ , В

Iк , мА

Iб , мА

Iэ , мА

f , МГц

Обратный ток коллектора, мкА

Iкбо

10

20

Обратный ток эмиттера, мкА

Iэбо

10

3

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В

Uкэ нас

3

10

1

Напряжение насыщения база-эмиттер, В

Uбэ нас

2,5

10

1

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте

|h21э|

1,5

10

1,5

20

Статистический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ

h21э

80

300

10

3

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс

τн

2000

10

2

2

Максимальная частота генерации, МГц

fmax

60

10

3

1.4 Вольтамперные характеристики

Входные статические характеристики транзистора изображены на рисунке 2, выходные — на рисунке 3.

 вольтамперные характеристики 1

Рисунок 2 — Входные статические характеристики транзистора

 вольтамперные характеристики 2

Рисунок 3 — Выходные статические характеристики транзистора

2 Полевой транзистор КП103Ж

2.1 Общие сведения

Корпус металлический, с гибкими выводами (рисунок 4,а) и пластмассовый (рисунок 4,б).

Масса для обоих типов 1 г.

 полевой транзистор кп ж 1

Рисунок 4,а — Полевой транзистор КП103Ж

 полевой транзистор кп ж 2

Рисунок 4,б — Полевой транзистор КП103Ж

2.2 Максимально допустимые параметры

Гарантируются при температуре окружающей среды Тс. от минус 55єС до плюс 85єСсз max = 15 В суммарное напряжение сток-затворси max = 10 В постоянное напряжение сток-исток= 12 мВт постоянная рассеиваемая мощность транзистора

2.3 Электрические параметры

Работа транзистора характеризуется параметрами, определяющими усилительные и частотные свойства в режимах усиления, переключения и отсечки, а также максимально допустимыми режимами эксплуатации. Электрические параметры транзистора приведены в таблице 2.

Таблица 2 Электрические параметры транзистора КП103Ж

Наименование

Обозначение

Значения

Режимы измерения

минимальное

максимальное

Uси, В

Uзи, В

Iс. нач., мкА

Начальный ток стока, мА

Iс. нач.

0,5

3

10

0

Ток утечки затвора, мА при Тс=+85єС при Тс=-55єС

Iз. ут.

20 2*103 20

0 0 0

10 10 10

Крутизна характеристики, мА/В

S

0,5

2,8

10

0

Напряжение отсечки, В

Uзи отс

0,5

2,2

10

10

Коэффициент шума, дБ

Кш

0,5

3

5

0

Входная емкость, пФ

С11и

20

10

0

Проходная емкость, пФ

С12и

8

10

0

Относительная разность начального тока стока, %

∆Iс. нач.

10

20

10

0

Относительная разность крутизны тока стока, %

∆S

10

20

10

0

∆Uзи отс

5

10

10

10

2.4 Вольтамперные характеристики

Входные статические характеристики транзистора изображены на рисунке 5, выходные — на рисунке 6.

 вольтамперные характеристики 1

Рисунок 5 — Входные статические характеристики транзистора

 вольтамперные характеристики 2

Рисунок 6 — Выходные статические характеристики транзистора

2. Расчетная часть

1 Биполярный транзистор КТ301Ж

1.1 Исходные данные для расчетов

Транзистор типа n-p-n, включен в схему с общим эмиттером. Напряжение источника питания Eп = 5 В, сопротивление нагрузки Rн = 3 кОм.

1.2 Построение нагрузочной прямой

Для построения нагрузочной прямой используем уравнение

п = Uкэ + Iк*Rн.

Приравнивая Iк =0, получаем первую точку Uкэ =5В.

Приравнивая Uкэ =0В, получаем вторую точку Iк =1,6мА.

Построение нагрузочной прямой показано на рисунке 7.

 построение нагрузочной прямой 1

Рисунок 7 — Нагрузочная прямая выходной ВАХ

Фиксируем параметры режима покоя — Iк0 =0,9 мА, Uкэ0 =1,5 В, Iб0 =7 мкА.

Для определения Uбэ0 на входных вольтамперных характеристиках построим рабочую прямую. На пересечении с Uкэ = 10 В опустим перпендикуляр на ось абсцисс.

Определение Uбэ0 на входных вольтамперных характеристиках показано на рисунке 8.

 построение нагрузочной прямой 2

Рисунок 8 — Построение рабочей прямой

бэ0 = 0,37 В.

Определим графическим способом параметры:

∆ Uкэ = 1,3В∆ Uбэ = 0,02В

∆ Iк = 0,8мА∆ Iб = 7мкА

2.1.3 Определение малосигнальных параметров

Входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока:

 определение малосигнальных параметров 1 = 0,02 / 7 * 10-6 = 2,8 кОм

Коэффициент передачи по току при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока:

 определение малосигнальных параметров 2 = 0,8 * 10-3 / 7 * 10-6 = 114,2

Выходная проводимость транзистора при разомкнутом входе для переменной составляющей тока (холостой ход входной цепи):

 определение малосигнальных параметров 3 = 0,8 * 10-3 / 1,3 = 0,61мСм

Коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе для переменной составляющей:

 определение малосигнальных параметров 4 = (12,5 * 0,00061) / 0,807 * 10-3 = 9,4

1.4 Расчет величин элементов эквивалентной схемы транзистора

На рисунке 9 изображена физическая малосигнальная эквивалентная схема биполярного транзистора.

 расчет величин элементов эквивалентной схемы транзистора 1

Рисунок 9 — Физическая малосигнальная эквивалентная схема биполярного транзистора (схема Джиаколетто)

Емкость коллекторного перехода Ск =10 пф

Емкость эмиттерного перехода Сэ =80 пф

Постоянная времени τн =2000 пс

Модуль коэффициента передачи тока |h21э| =1,5

Сопротивление эмиттерного перехода эмиттерному току:

 расчет величин элементов эквивалентной схемы транзистора 2 = 30,9 Ом

Сопротивление эмиттерного перехода базовому току:

 расчет величин элементов эквивалентной схемы транзистора 3 = 3,5 кОм

Крутизна характеристики транзистора:

 расчет величин элементов эквивалентной схемы транзистора 4 = 40 мА/В

Выходное сопротивление транзистора (сопротивлением внешней утечки между коллектором и эмиттером):

транзистор биполярный полевой мощность

 расчет величин элементов эквивалентной схемы транзистора 5 = 4,1 кОм

Сопротивление коллекторного перехода:

 расчет величин элементов эквивалентной схемы транзистора 6 = 375 Ом

Объемное сопротивление базы:

 расчет величин элементов эквивалентной схемы транзистора 7 = 200 Ом

1.5 Определение граничных и предельных частот транзистора

Предельная частота передачи тока в схеме с ОЭ:

 определение граничных и предельных частот транзистора 1 = 0,44 МГц

Граничная частота передачи тока:

 определение граничных и предельных частот транзистора 2 = 30 МГц

Максимальная частота генерации транзистора:

 определение граничных и предельных частот транзистора 3 = 24,4 МГц

Предельная частота транзистора по крутизне:

1.6 Определение частотных зависимостей Y-параметров

Рассчитаем значения частот:

wh21Э = 2p¦ h21Э = 2,76 Мрад/с

wS = 2p¦S = 499,8 Мрад/с

Проводимость прямой передачи (крутизна проходной характеристики), которую определяют при коротко замкнутом для переменной составляющей выходе транзистора:

 определение частотных зависимостей параметров 1 = (40 * 10-3) / (√ 1+(w*2000*10-12)2)

При w = 100 Мрад/с|Y21(ω)| = 39,2 мСм

При w = 200 Мрад/с|Y21(ω)| = 37,1 мСм

При w = 300 Мрад/с|Y21(ω)| = 34,4 мСм

При w = 400 Мрад/с|Y21(ω)| = 31,2 мСм

При w = 500 Мрад/с|Y21(ω)| = 28,3 мСм

При w = 800 Мрад/с|Y21(ω)| = 21,2 мСм

При w = 1100 Мрад/с|Y21(ω)| = 16,5 мСм

По полученным данным построим график зависимости |Y21(ω)| (рисунок 10).

 определение частотных зависимостей параметров 2

Рисунок 10 — График зависимости |Y21(ω)|

Входная проводимость, которую определяют при короткозамкнутом для переменной составляющей выходе транзистора:

 определение частотных зависимостей параметров 3 = (1 / 2,8*103)*√((1+(w/2,76*106)2 ) / (1+(w/499,8*106)2 )

При w = 100 Мрад/с|Y11(ω)| = 12,6 мСм

При w = 200 Мрад/с|Y11(ω)| = 24 мСм

При w = 300 Мрад/с|Y11(ω)| = 33 мСм

При w = 400 Мрад/с|Y11(ω)| = 40 мСм

При w = 500 Мрад/с|Y11(ω)| = 45,6 мСм

При w = 800 Мрад/с|Y11(ω)| = 54,6 мСм

При w = 1100 Мрад/с|Y11(ω)| = 58,7 мСм

По полученным данным построим график зависимости |Y11(ω)| (рисунок 11).

 определение частотных зависимостей параметров 4

Рисунок 11 — График зависимости |Y11(ω)|

2 Полевой транзистор КП103Ж

2.1 Исходные данные для расчетов

Транзистор с каналом p-типа, включен в схему с общим истоком. Напряжение источника питания Eп = 20 В, сопротивление нагрузки Rн = 3 кОм.

2.2 Построение нагрузочной прямой

Для построения прямой используем уравнение

п = Uси + Iс*Rн.

Приравнивая Iс =0, получаем первую точку Uси.=20 В.

Приравнивая Uси=0, получаем вторую точку Iс =6,6 мА.

Построение нагрузочной прямой изображено на рисунке 12.

 построение нагрузочной прямой 1

Рисунок 12 — Нагрузочная прямая выходной ВАХ

Фиксируем параметры режима покоя — Iс0 = 0,3 мА, Uси0 = 19 В, Uзи0 = 0,5 В.

2.3 Определение малосигнальных параметров

Крутизна характеристики полевого транзистора:

 определение малосигнальных параметров 1 = (0,55*10-3) / 0,5 = 1,1 мА/В

Внутреннее сопротивление транзистора:

 определение малосигнальных параметров 2 = 4 / 0,1*10-3 = 40 кОм

Статический коэффициент усиления:

 определение малосигнальных параметров 3 = 1,1 * 40 = 44

2.2.4 Расчет величин элементов эквивалентной схемы транзистора

На рисунке 13 изображена эквивалентная схема полевого транзистора.

 расчет величин элементов эквивалентной схемы транзистора 1

Рисунок 13 — Эквивалентная схема полевого транзистора

СЗС = 8 пФ проходная емкость

СЗИ = 20 пФ входная емкость= 40 кОм внутренне сопротивление транзистора= 1,1 мА/В крутизна характеристики транзистораКАН = 15,8 кОм сопротивление канала в рабочей точке

2.5 Определение граничных и предельных частот транзистора

Предельная частота проводимости прямой передачи полевого транзистора:

¦S = 1/(2p×RКАН ×СЗИ) = 0,5 МГц

Граничная частота усиления полевого транзистора

¦ГР = S/(2p×ССИ) = 17,5 МГц

2.6 Определение частотных зависимостей Y-параметров

wS = 2p¦S = 3,14 МГц

Входная проводимость, которую определяют при короткозамкнутом для переменной составляющей выходе транзистора:

 определение частотных зависимостей параметров 1

При ω = 1 Мрад/сY11(ω) = 26,85 мкСм

При ω = 2 Мрад/сY11(ω) = 44,25 мкСм

При ω = 3 Мрад/сY11(ω) = 63,1 мкСм

При ω = 8 Мрад/сY11(ω) = 101,69 мкСм

При ω = 13 Мрад/сY11(ω) = 132,23 мкСм

При ω = 18 Мрад/сY11(ω) = 166,38 мкСм

По полученным данным построим график зависимости Y11(ω) (рисунок 14).

 определение частотных зависимостей параметров 2

Проводимость обратной передачи, которую определяют при короткозамкнутом для переменной составляющей входе транзистора:

 определение частотных зависимостей параметров 3

При ω = 1 Мрад/сY12(ω) = 2,82 мкСм

При ω = 2 Мрад/сY12(ω) = 4 мкСм

При ω = 3 Мрад/сY12(ω) = 4,89 мкСм

При ω = 8 Мрад/сY12(ω) = 8 мкСм

При ω = 13 Мрад/сY12(ω) = 10,19 мкСм

При ω = 18 Мрад/сY12(ω) = 12 мкСм

По полученным данным построим график зависимости Y12(ω) (рисунок 15).

 определение частотных зависимостей параметров 4

Рисунок 15 — График зависимости Y12(ω)

Проводимость прямой передачи, которую определяют при короткозамкнутом для переменной составляющей выходе транзистора:

 определение частотных зависимостей параметров 5

При ω = 1 Мрад/сY21(ω) = 1049,9 мкСм

При ω = 2 Мрад/сY21(ω) = 929,8 мкСм

При ω = 3 Мрад/сY21(ω) = 789,6 мкСм

При ω = 8 Мрад/сY21(ω) = 394,8 мкСм

При ω = 13 Мрад/сY21(ω) = 227,3 мкСм

При ω = 18 Мрад/сY21(ω) = 108 мкСм

По полученным данным построим график зависимости Y21(ω) (рисунок 16).

 определение частотных зависимостей параметров 6

Рисунок 16 — График зависимости Y21(ω)

Выходная проводимость, которую определяют при короткозамкнутом для переменной составляющей входе транзистора:

 определение частотных зависимостей параметров 7

При ω = 1 Мрад/сY22(ω) = 30,8 мкСм

При ω = 2 Мрад/сY22(ω) = 43,82 мкСм

При ω = 3 Мрад/сY22(ω) = 59,5 мкСм

При ω = 8 Мрад/сY22(ω) = 146,15 мкСм

При ω = 13 Мрад/сY22(ω) = 235,3 мкСм

При ω = 18 Мрад/сY22(ω) = 324,9 мкСм

По полученным данным построим график зависимости Y22(ω) (рисунок 17).

 определение частотных зависимостей параметров 8

Рисунок 17 — График зависимости Y22(ω)

Вывод

В ходе выполнения курсовой работы определены параметры и статические характеристики транзисторов. Для биполярного транзистора КТ301Ж графически определены h — параметры: h11Э = 2800 Ом — входное сопротивление, h21Э = 114,2 — коэффициент передачи по току при коротком замыкании на выходе для переменной составляющей тока, h12Э = 9,4 — коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе для переменной составляющей тока, h22Э = 0,61 мСм — выходная проводимость транзистора при разомкнутом входе для переменной составляющей тока.

Для полевого транзистора КП103Ж графически определены: крутизна характеристики — S= 1,1 мА/В, внутреннее сопротивление Ri = 40 кОм, статический коэффициент усиления µ.= 44.

В соответствии условиями задания рассчитаны параметры эквивалентной схемы, определены граничные и предельные частоты транзисторов.

Для биполярного транзистора записаны выражения для модулей ½Y21(w)½, ½Y11(w)½ и построены графики этих зависимостей от частоты. Из графиков следует, что при увеличении частоты, проводимость прямой передачи убывает, а входная проводимость возрастает.

Для полевого транзистора записаны выражения для модулей Y-параметров и построены графики данных зависимостей от частоты. Входная проводимость |Y11(w)|, проводимость обратной передачи |Y12(w)|, выходная проводимость |Y22(w)|:

— линейно возрастают с увеличением частоты; а проводимость прямой передачи — |Y21(w)| линейно убывает с увеличением частоты.

Список литературы

[Электронный ресурс]//URL: https://drprom.ru/kursovaya/izmerenie-parametrov-tranzistorov/

1. Валенко В.С., Полупроводниковые приборы и основы схемотехники электронных устройств, ─ М.: «Додэка», 2001

2. Полупроводниковые приборы. Транзисторы: Справочник / Под ред. Н.Н. Горюнова. М.: Энергоатомиздат, 1985

— Транзисторы для аппаратуры широкого применения.: Справочник / Под ред. Б.Л. Перельмана. М.: Радио и связь, 1981

— Тугов Н.М. Полупроводниковые приборы: учебник для вузов. М.: Энергоатомиздат, 1990

— Москатов Е.А. Справочник по полупроводниковым приборам, — Таганрог, 2004

— Москатов Е.А. Электронная техника, — Таганрог, 2004