Эффектом холла называется появление в провод нике с током плотностью помещён ном в магнитное поле н

Эффектом холла называется появление в провод нике с током плотностью помещён ном в магнитное поле н 1 Эффектом Холла называется появление в провод­нике с током плотностью j , помещён­ном в магнитное поле Н , электрического поля Ех , перпендикулярного Н и j . При этом на­пряжённость электрического поля, называемого ещё полем Холла, равна:

Рис 1.1

E x = RHj sin

где a угол между векторами Н и J (a <180° ).

Когда H ^ j , то величина поля Холла Ех максимальна: Ex = RHj . Ве­личина R , называемая коэффициентом Холла, является основной характеристикой эффекта Холла. Эффект открыт Эдвином Гербертом Холлом в 1879 в тонких пла­стинках золота. Для наблюдения Холла эффекта вдоль прямоугольных пластин из иссле­дуемых веществ, длина которых l значитель­но больше ширины b и толщины d , про­пускается ток:

I = jbd (см. рис.);

V x

V x = Ех b = RHj

Так как ЭДС Холла меняет знак на обратный при изменении направления магнитного поля на обратное, то Холла эффект относится к не­чётным гальваномагнитным явлениям.

v др

R= m / s (3)

Здесь m* — эффективная масса носи­телей, t — среднее время между двумя последовательными соударениями с рассеивающи­ми центрами.

Иногда при описании Холла эффекта вводят угол Холла j между током j и направлением суммарного поля Е : tg j = Ex /E= W t , где W — циклотронная частота носи­телей заряда. В слабых полях ( W t <<1) угол Холла j » W t , можно рассматривать как угол, на который отклоняется движу­щийся заряд за время t . Приведённая те­ория справедлива для изотропного про­водника (в частности, для поликристал­ла), у которого m* и t их— постоянные вели­чины. Коэффициент Холла (для изотроп­ных полупроводников) выражается через парциальные проводимости s э и s д и концентрации электронов nэ и дырок nд :

4 стр., 1621 слов

Электрические печи

... относится к приемникам электрической энергии 2-й категории. В дуговой электрической печи используется тепловой эффект электрической дуги. Применяются для ... электромагнитного поля, создаваемого индуктором. 2 ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ 2.1 Конструкция печи Устройство дуговых электропечей. Первая дуговая электропечь в ... корытообразное сечение и приварен к кожуху под углом 10—12° к горизонтали. Изнутри желоб футеруют ...

Эффектом холла называется появление в провод нике с током плотностью помещён ном в магнитное поле н 2 (a) для слабых полей

(4)

Эффектом холла называется появление в провод нике с током плотностью помещён ном в магнитное поле н 3 (б) для сильных полей.

n э = nд , = n

Эффектом холла называется появление в провод нике с током плотностью помещён ном в магнитное поле н 4 ,

а знак R указывает на преобладающий тип про­водимости.

Для металлов величина R зависит от зонной структуры и формы Ферми поверхности. В случае замкнутых по­верхностей Ферми и в сильных магнит­ных полях ( W t »1) коэффициент Холла изо­тропен, а выражения для R совпадают с формулой 4,б. Для открытых поверхно­стей Ферми коэффициент R анизотропен. Одна­ко, если направление Н относительно кристаллографических осей выбрано так, что не возникает открытых сечений поверхности Ферми, то выражение для R аналогич­но 4,б.

2. Объяснение эффекта Холла с помощью электронной теории.

Если металлическую пластинку, вдоль которой течет постоянный электрический ток, поместить в перпендикулярное к ней магнитное поле, то между гранями, параллельными направлениям тока и поля возникает разность потенциалов U=j 1 -j2 (смотри рис 2.1).

Она называется Холловской разностью потенциалов (в предыдущем пункте – ЭДС Холла) и определяется выражением:

u h

Здесь b — ширина пластинки, j — плотность тока, B — магнитная индукция поля, R — коэффициент пропорциональности, получивший название постоянной Холла. Эффект Холла очень просто объясняется электронной теорией, отсутствие магнитного поля ток в пластинке обусловливается электрическим полем Ео (смотри рис 2.2).

Эквипотенциальные поверхности этого поля образуют систему перпендикулярных к вектору Ео скоростей. Две из них изображены на рисунке сплошными прямыми линиями. Потенциал во всех точках каждой поверхности, а следовательно, и в точках 1 и 2 одинаков. Носители тока — электроны — имеют отрицательный заряд, поэтому скорость их упорядоченного движения и направлена противоположно вектору плотности тока j .

При включении магнитного поля каждый носитель оказывается под действием магнитной силы F , направленной вдоль стороны b пластинки и равной по модулю

F=euB (2.2)

Е B

Е B =uВ.

Е B

UH=bE B =buB

Выразим u через j , n и e в соответствии с формулой j=neu . В результате получим:

U H =(1/ne)bjB (2.3)

Последнее выражение совпадает с (2.1), если положить

R=1/ne (2.4)

Из (2.4) следует, что, измерив постоянную Холла, можно найти концентрацию носителей тока в данном металле (т. е. число носи­телей в единице объема).

Важной характеристикой вещества является подвижность в нем носителей тока. Подвижностью носителей тока называется средняя скорость, приобретаемая носителями при напряженности электри­ческого поля, равной единице. Если в поле напряженности Е носи­тели приобретают скорость u то подвижность их u0 равна:

U 0 =u/E (2.5)

Подвижность можно связать с проводимостью s и концентрацией носителей n . Для этого разделим соотношение j=neu на напряжённость поля Е . Приняв во внимание, что отношение j к Е дает s , а отношение u к Е — подвижность, получим:

s =neu0 (2.6)

Измерив постоянную Холла R и проводимость s , можно по формулам (2.4) и (2.6) найти концентрацию и подвижность носи­ли тока в соответствующем образце.

 объяснение эффекта холла с помощью электронной теории  1
j
– – – – – – – – – – 1 – – – – – – – – – – –

Рис 2.1

 объяснение эффекта холла с помощью электронной теории  2

 объяснение эффекта холла с помощью электронной теории  3

E0
u
 объяснение эффекта холла с помощью электронной теории  4
 объяснение эффекта холла с помощью электронной теории  5
 объяснение эффекта холла с помощью электронной теории  6
+++++++++++++2+++++++++++++

Рис 2.2

3. Эффект Холла в ферромагнетиках.

В ферромагнетиках на электроны про­водимости действует не только внешнее, но и внутреннее магнитное поле:

E x = (RB + Rа M)j

4. Эффект Холла в полупроводниках.

Эффект Холла наблюдается не только в металлах, но и в полупроводниках, причем по знаку эффекта можно судить о принадлеж­ности полупроводника к n- или p-типу, так как в полупроводниках n-типа знак носителей тока отрицательный, полупроводниках p-типа – положительный. На рис. 4.1 сопоставлен эффект Холла для образцов с положительными и отрицательными носителями. Направление магнитной силы изменяется на противоположное как при изменении направления движения заряда, так и при изменении его знака. Следовательно, при одинаковом направлении тока и поля магнитная сила, действующая на положительные и отрицательные носители, имеет одинаковое направление. Поэтому в случае положительных носителей потенциал верхней (на рисунке) грани выше, чем нижней, а в случае отрицательных носителей — ниже. Таким образом, определив знак холловской разности потенциалов, можно установить знак носителей тока. Любопытно, что у некоторых металлов знак U н соответствует положительным носителям тока. Объяснение этой аномалии дает квантовая теория.

 эффект холла в полупроводниках  1
 эффект холла в полупроводниках  2
 эффект холла в полупроводниках  3
– – – – – – – – – – –
 эффект холла в полупроводниках  4
 эффект холла в полупроводниках  5
B
 эффект холла в полупроводниках  6
– – – – – – – – – – –
+++++++++++++++

Рис 4.1

5. Эффект Холла на инерционных электронах в полупроводниках.

Предсказан новый физический эффект, обусловленный действием силы Лоренца на электроны полупроводника, движущегося ускоренно. Получено выражение для поля Холла и выполнены оценки холловского напряжения для реальной двумерной гетероструктуры. Выполнен анализ возможной схемы усиления холловского поля на примере двух холловских элементов, один из которых — генератор напряжения, а второй — нагрузка.

Известен опыт Толмена и Стюарта, в котором наблюдался импульс тока j , связанный с инерцией свободных электронов. При инерционном разделении зарядов в проводнике возникает электрическое поле напряженностью E . Если такой проводник поместить в магнитное поле B , то следует ожидать появления эдс, аналогичной эффекту Холла, обусловленной действием силы Лоренца на инерционные электроны.

dv x

 эффект холла на инерционных электронах в полупроводниках  1 , (1)

 эффект холла на инерционных электронах в полупроводниках  2 , (2)

где s = en m — проводимость, m — подвижность. В магнитном поле B (0; 0; Bz ) возбуждается поле Ey = (1/ne ) jx Bz или

 эффект холла на инерционных электронах в полупроводниках  3 (3)

E y

Наиболее подходящий объект для экспериментального наблюдения эффекта — двумерные электроны в гетеросистеме n -Alx Ga1-x As/GaAs. В единичном образце (1×1 см2 ) в поле 1 Тл и m@ 104 см2 (В * с) для dvx /dt @ 10 м/с2 следует ожидать сигнал Vy @ 6*10-11 B, что вполне доступно для современной техники измерений.

Рассмотрим одну из возможностей усиления эффекта на примере двух холловских элементов, один из которых (I) является генератором поля Холла, а второй (II) —нагрузкой. Схема соединений холловских элементов I и II показана на рисунке.

B z

E (2) y =(E(1) y + E(1) y )mBz (4)

Учитывая соотношение E (1) y =E (1) x m Bz , получаем

E (2) y =(1+mBz )mBz E(1) x (5)

y

В самом деле, для данной геометрии опыта (см рисунок) в магнитном поле B (0; 0; Bz ) при изменении координаты x со временем по закону x = x 0 cos wt, где w — частота задающего генератора, нагруженного на пьезоэлемент, и x 0 — амплитуда колебаний последнего, имеем из соотношения (3)

 эффект холла на инерционных электронах в полупроводниках  4 (6)

l y

 эффект холла на инерционных электронах в полупроводниках  5 (7)

l * y

 эффект холла на инерционных электронах в полупроводниках  6

Рис 5.1

Схема усиления холловского поля из двух элементов I и II., Указаны направления: знаком

6. Датчик ЭДС Холла.

Датчик ЭДС Холла – это элемент автоматики, радиоэлектроники и измерительной техники, используемый в качестве измерительного преобразователя, действие которого основано на эффекте Холла. Представляет собой тонкую прямоугольную пластину (площадь – несколько мм 2 ), или пленку, изготовленную из полупроводника (Si, Ge, InSb, InAs), имеет четыре электрода для подвода тока и съёма ЭДС Холла. Чтобы избежать механических повреждений, пластинки Холла ЭДС датчика монтируют (а пленку напыляют в вакууме) на прочной подложке из диэлектрика (слюды, керамики).

Для получения наибольшего эффекта толщина пластины (плёнки) делается возможно меньшей. Датчики ЭДС Холла применяют для бесконтактного измерения магнитных полей (от 10-6 до 105 Э).

При измерении слабых магнитных полей пользуются Холла ЭДС датчиками, вмонтированными в зазоре ферро– или ферримагнитного стержня (концентратора), что позволяет значительно повысить чувствительность датчика. Так как в полупроводниках концентрация носителей зарядов (а следовательно, и коэффициент Холла) может зависеть от температуры, то в случае точных измерений необходимо либо термостатировать Холла ЭДС датчик, либо применять сильнолегированные полупроводники (последнее снижает чувствительность датчика).

При помощи Холла ЭДС датчика можно измерять любую физическую величину, которая однозначно связана с магнитным полем; в частности можно изменять силу тока, так как вокруг проводника с током образуется магнитное поле, которое можно измерить. На основе Холла ЭДС датчика созданы амперметры на токи до 100 кА. Кроме того Холла ЭДС датчики применяются в измерителях линейных и угловых перемещений, а также в измерителях градиента магнитного поля, магнитного потока и мощности электрических машин, в бесконтактных преобразователях постоянного тока в переменный, и, наконец, в воспроизводящих головках систем звукозаписи.

8. Список используемой литературы., Теоретическая физика

с. 309.

2) И.М. Цидильковский УФН, 115 , 321 (1975).

Редактор Т.А. Полянская

3) Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, № 4

4) И.В. Савельев Курс общей физики, т. II. Электричество и магнетизм. Волны. Оптика : Учебное пособие. – 2-е издание, переработанное (М., Наука, главная редакция физико-математической литературы,1982) с.233 – 235.

5) Большая советская энциклопедия, том 28, третье издание (М., издательство «Советская энциклопедия», 1978) с.338-339.